[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201320087601.1 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN203117619U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 马小叶;金在光;尹傛俊;涂志中 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了阵列基板及液晶显示装置,该阵列基板包括一基板,基板上形成有栅线金属层,具有栅电极线和第一公共电极线;形成于栅电极线和第一公共电极线之上的栅极绝缘层,该层上形成有若干第一过孔;形成于栅极绝缘层之上的氧化物半导体层,该层具有氧化物有源层;形成于氧化物有源层之上的刻蚀阻挡ESL层,ESL层上形成有若干第二过孔,第二过孔与第一过孔一一对应;形成于ESL层之上的数据线金属层,该层具有数据线和第二公共电极线,第二公共电极线与第一公共电极线的一部分相对应;位置对应的第一公共电极线和第二公共电极线经第一过孔和第二过孔连接。本实用新型中设置双层公共电极线来减小电阻,降低偏绿色指数并保证像素开口率。
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括一基板,其特征在于:所述基板上形成有栅极金属层,所述栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线; 形成于所述栅电极线和所述第一公共电极线之上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上形成有若干第一过孔; 形成于所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层具有氧化物有源层; 形成于所述氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层,所述ESL层上形成有若干第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔一一对应; 形成于所述ESL层之上的数据线金属层,所述数据线金属层具有数据线和第二公共电极线,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线的一部分相对应;位置对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线经所述第一过孔和所述第二过孔连接; 形成于所述数据线与所述第二公共电极线之上的钝化层; 形成于所述钝化层之上的透明电极层ITO层,所述ITO层具有像素电极。
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