[发明专利]聚二甲基硅氧烷微薄膜电容式生物传感器制备方法

摘要

本发明涉及生物传感器制造领域，具体是一种聚二甲基硅氧烷微薄膜电容式生物传感器制备方法。传感器以硅片作为衬底，采用溅射工艺制备铬膜和金膜共同作为传感器的底电极和顶电极，以Sylgard 184（Dow Corning公司产品）为原始材料、采用分步旋涂工艺制备聚二甲基硅氧烷微薄膜作为传感层，干法和湿法结合刻蚀和腐蚀聚二甲基硅氧烷以进行牺牲层释放并最终形成微薄膜悬空结构，传感器功能化直接在顶电极的金膜上完成。本发明提出的结构和涉及的工艺简单，得到的传感器灵敏度高，响应快速，稳定性和重复性好，能够实现微型化、低成本、批量化生产。

主权项

一种聚二甲基硅氧烷微薄膜电容式生物传感器制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）在硅片衬底上溅射金属膜；   （2）在金属膜上旋涂光刻胶，曝光和显影光刻胶后，湿法腐蚀金属膜，去光刻胶后在硅片衬底上形成底电极结构；（3）在具有底电极结构的硅片衬底上旋涂光刻胶，曝光和显影光刻胶，在底电极结构上方形成牺牲层结构；（4）在具有底电极和牺牲层结构的硅片衬底上旋涂聚二甲基硅氧烷微薄膜；（5）在聚二甲基硅氧烷微薄膜上溅射金属膜；（6）在步骤（5）的金属膜上旋涂光刻胶，曝光和显影光刻胶后，湿法腐蚀金属膜，去胶后在聚二甲基硅氧烷微薄膜上形成顶电极结构；所述顶电极结构和所述底电极结构相对；（7）在具有顶电极结构的聚二甲基硅氧烷微薄膜上溅射铜膜；（8）在步骤（7）的铜膜上旋涂光刻胶，曝光和显影光刻胶后，湿法腐蚀铜，去胶后形成铜膜作掩膜的、聚二甲基硅氧烷掩盖的释放孔和底电极引线孔；（9）去掉掩盖释放孔和底电极引线孔的聚二甲基硅氧烷微薄膜，形成释放孔和底电极引线孔，所述释放孔部分暴露出牺牲层，所述底电极引线孔部分暴露出底电极结构；（10）湿法腐蚀掉剩余的铜膜；（11）在丙酮溶液中浸泡，牺牲层的光刻胶经释放孔被全部洗去后，在顶电极结构和底电极结构之间形成空腔，然后热板上烘干后即形成生物传感器。