[发明专利]光掩膜坯料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310646364.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103616794B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 徐根;陈社诚;周志刚 | 申请（专利权）人： | 湖南普照信息材料有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F7/26;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 410205 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光掩膜坯料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤用80～100℃质量分数大于98％的硫酸浸泡玻璃基板，漂洗，烘干；依次在玻璃基板顶面上叠置形成阻挡层、遮光层、减反射层。所得光掩膜坯料的膜层反射率仅为0～1％，反射率得到极大的降低。光密度(OD)值在波长450nm处为4.5～6.0，OD值得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 坯料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光掩膜坯料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用80～100℃的质量分数大于98％硫酸浸泡玻璃基板，漂洗，烘干；依次在所述玻璃基板顶面上叠置形成阻挡层、遮光层、减反射层；所述浸泡时间为10～15分钟；所述漂洗为在常温纯水中漂洗所述玻璃基板10～15分钟；所述烘干步骤中干燥介质为异丙醇，温度为40～60℃；所述阻挡层为铬氧化物；制备所述阻挡层的溅射条件：制程气体Ar：O2为2～5：10，压力为0.2～0.30Pa；所述遮光层为铬氮化物；制备所述遮光层的溅射条件：制程气体为N2，压力为0.15～0.35Pa，玻璃基板衬底温度为120～180℃；所述减反射层为铬氮氧化物；制备所述减反射层的溅射条件：制程气体为Ar：N2：O2为(40～60)：20：(3～5)，玻璃基板衬底温度为120～180℃。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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