[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 201310634873.3 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103760946B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | D·龚;L·伦德 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 杨勇,郑建晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在半导体衬底上制造的集成电路。一种集成电路包括第一和第二双极型晶体管，第一双极型晶体管的基极和集电极联接到第二双极型晶体管的基极；第一和第二电阻器，串联联接在第二双极型晶体管的发射极和地电位之间，分别具有第一和第二电阻值R1和R2，并分别具有第三和第二温度系数TC3和TC2；第三电阻器，联接在一节点和第二双极型晶体管的集电极之间，当电力被供应到集成电路时第一电流流过第三电阻器，第三电阻器具有第三电阻值R3以及第三温度系数TC3；电流镜，联接到第一和第二双极型晶体管，使得当电力被供应到集成电路时第一电流流过第一和第二双极型晶体管中的每个，第一和第二电阻值使得第一电流在温度变化下恒定。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
在半导体衬底上制造的集成电路，包括：第一和第二双极型晶体管，所述第一双极型晶体管的基极和集电极联接到所述第二双极型晶体管的基极，并且所述第一双极型晶体管的发射极联接到地电位；第三双极型晶体管，所述第三双极型晶体管的发射极联接到所述地电位，所述第三双极型晶体管的基极联接到所述第二双极型晶体管的集电极；第一和第二电阻器，所述第一和第二电阻器串联联接在所述第二双极型晶体管的发射极和所述地电位之间，所述第一和第二电阻器分别具有第一和第二电阻值R1和R2，并分别具有第三和第二温度系数TC3和TC2；第三电阻器，所述第三电阻器联接在一节点和所述第二双极型晶体管的集电极之间，当电力被供应到所述集成电路时，第一电流流过所述第三电阻器，所述第三电阻器具有第三电阻值R3以及第三温度系数TC3，其中所述第三电阻值使得在温度变化下，所述第三双极型晶体管的基极－发射极电压的百分比变化等于所述第三电阻器两端的电压降的百分比变化，从而导致在所述节点处生成在温度变化下恒定的第一电压；以及电流镜，所述电流镜联接到所述第一和第二双极型晶体管，使得当电力被供应到所述集成电路时，第一电流流过所述第一和第二双极型晶体管中的每一个，所述第一和第二电阻值使得所述第一电流在温度变化下恒定，所述第一和第二双极型晶体管的基极－发射极电压之差的温度系数TC1等于TC2×(R2/(R1+R2))+TC3×(R1/(R1+R2))。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电力集成公司，未经电力集成公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310634873.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带电作业安装防弧金具用绝缘挡板
- 下一篇：散热LED封装
