[发明专利]磁性存储系统读磁头的磁阻传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310629032.3 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103854668B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | C-H·杨;C-J·钱;C·凯泽;Y·郑;Q·冷;M·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 西部数据（弗里蒙特）公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/48 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火，并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收，由此提高自由层的磁性能。然后，将盖帽层厚度减小到第二厚度，从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽（SS）堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储系统 磁头 磁阻 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提供包括磁阻传感器的磁性读取换能器的方法，其中所述磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层，所述方法包括：将所述盖帽层设置成具有第一厚度，从而将硼从所述自由层吸收到所述盖帽层；对所述磁阻传感器进行退火；在对所述磁阻传感器进行退火期间，从所述自由层中扩散硼并由所述盖帽层吸收硼，使得所述盖帽层形成包括硼化钛的非晶体盖帽层并且充分抑制所述自由层在除具有100平面的体心立方晶体结构(bcc(100))以外的方向上结晶；以及在对所述磁阻传感器进行退火之后，将所述盖帽层厚度减小到第二厚度。
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