[发明专利]一种测试IGBT模块结构性阻抗的方法有效
| 申请号： | 201310603333.9 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103604999A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张强 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试IGBT模块结构性阻抗的方法，通过在闭合直流电路中相同的电流条件下分别测量正常IGBT模块，正常IGBT模块与特殊IGBT模块串联的饱和压降值，通过二者之差与电流的比值计算得到IGBT模块结构性阻抗，其中，所述的特殊IGBT模块为去除了IGBT芯片的正常IGBT模块。通过本发明的方法，能够高精度的测试出IGBT模块的结构性阻抗，该方法简单易操作，提高了新产品参数测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 igbt 模块 结构性 阻抗 方法 | ||
【主权项】：
一种测试IGBT模块结构性阻抗的方法，该方法在闭合直流电路中进行测试，其特征在于，包括下述步骤：（1）在闭合直流电路中接入正常IGBT模块U1，电流I条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesat1；（2）在其他电路参数不变的条件下，串联接入特殊IGBT模块U2，与正常IGBT模块U1通过镀金母排相连接，与步骤（1）相同的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesat2；（3）计算得到IGBT模块结构性阻抗值R，R=（Vcesat2‑Vcesat1）/I；其中，所述的特殊IGBT模块U2为去除了IGBT芯片的正常IGBT模块，直接将键合线连接在陶瓷基板上的导电层上，其他部分结构不改变；所述的电流I值根据显示电压值3～15V与预估的IGBT模块结构性阻抗R值的比值预设。
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