[发明专利]一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层(2b)、活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)。本发明能获得具有很好陷光效果及真正实现载流子径向收集，进而提高转换效率的硅纳米线薄膜电池，同时电池的制备过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。

主权项

一种硅纳米线薄膜电池，包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，所述硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在所述每个硅纳米线的外侧依次形成有活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)，其特征在于：在所述硅纳米线层(2)的每个硅纳米线与所述活性层硅薄膜(3)之间，从内至外依次还包括背电极薄膜层(2a)和掺杂型硅薄膜层(2b)。