[发明专利]一种石墨烯中远红外探测器及其制备方法无效
申请号: | 201310583494.6 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN103633183A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 张鹏;马中发;吴勇;庄奕琪;赵钰迪;冯元博;陈祎坤 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 发明公开了一种石墨烯中远红外探测器及其制备方法,该红外探测器包含一层石墨烯薄膜,其基本单元为一个以胶体量子点层作为光控顶栅的石墨烯红外光电晶体管。该器件克服了石墨烯对光的吸收率低的问题,同时石墨烯沟道的电学可调特性得到了保持,因此该器件可同时受到光学与电学偏置的控制。该晶体管具有超高的红外光吸收率、内量子效率、增益和很低的噪声水平,且可根据所探测红外波长范围的不同选用不同的胶体量子点层材料。该器件易与现有硅基CMOS集成电路工艺相兼容,因此可以实现大规模、低成本传感器阵列的生产。该敏感器件的成功制备,将为高性能石墨烯基红外焦平面阵列传感器的研究奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 烯中远 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯中远红外探测器,其特征在于:该红外探测器包含一层石墨烯薄膜,其基本单元为一个以胶体量子点层作为光控顶栅的石墨烯红外光电晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的