[发明专利]一种双向生长型碳纳米管阵列传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310569434.9 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103837583A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈泽祥;张继君;李海 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种双向生长型碳纳米管阵列传感器及其制备方法，包括底电极、碳纳米管和顶电极，是一种三维立体结构，所述碳纳米管垂直于底电极生长，且碳纳米管的一端连接于底电极中；碳纳米管在生长过程中垂直于顶电极且碳纳米管的另外一端与顶电极电接触相连。本发明气敏性极好，电接触性能优良，稳定性、制备的可重复性较高，非常容易实现多种气体的集成式阵列式传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 生长 纳米 阵列 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双向生长型碳纳米管阵列传感器，其特征在于：包括底电极层（3）、碳纳米管（2）和顶电极层（1），碳纳米管（2）连接底电极层（3）与碳纳米管（2），且碳纳米管（2）与底电极层（3）和碳纳米管（2）垂直，所述碳纳米管（2）整列分布。
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