[发明专利]一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310539150.5 申请日: 2013-11-04
公开(公告)号: CN103601473A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 宋春军;秦晓英;辛红星;张建;李地;刘永飞;李亮亮 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C04B35/04 分类号: C04B35/04;C04B35/622
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法。该氧化镁陶瓷采用高纯度轻质氧化镁为原料,高纯度的五氧化二钒、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛的一种或多种混合为添加剂制备而成,其中氧化镁含量≥93wt%、相对致密度≥97%,添加剂含量为0-7wt%,氧化钙、氧化铁等杂质总含量<1wt%。通过混料、干燥、造粒、成型和烧结的工艺制备得到所述氧化镁陶瓷。本发明氧化镁陶瓷具有纯度高、致密度高、耐高温、耐腐蚀、气密性好、无污染等特点,可长期应用于高温烧结、冶炼金属等高温、耐腐蚀性环境,且制备工艺稳定、成品率高、适应范围广,适于批量化生产。
搜索关键词: 一种 纯度 致密 氧化镁 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷,其特征在于,该氧化镁陶瓷采用高纯度轻质氧化镁为原料,高纯度的五氧化二钒、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛的的一种或多种混合为添加剂制备而成,其中氧化镁含量≥93wt%、相对致密度≥97%,添加剂含量为0‑7wt%,氧化钙、氧化铁等杂质总含量<1wt%。
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