[发明专利]一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料快速插入到步骤4)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明通过选取特定割切方向的NGO单晶基板、控制溶液的过饱和度等方式来液相外延生长纯a轴取向的YBCO混合晶界结构的超导厚膜，工艺简单，操作方便。

主权项

一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法，包括如下工序：a)制备Ba‑Cu‑O先驱粉末；b)将所述Ba‑Cu‑O先驱粉末加入到晶体生长炉中的盛放Y2O3材料的坩埚中；c)将工序b)中的盛放所述Ba‑Cu‑O先驱粉末和所述Y2O3材料的坩埚加热至第一温度进行保温，获得Y‑Ba‑Cu‑O溶液；d)在所述晶体生长炉中，用顶部籽晶提拉法液相外延生长YBCO超导厚膜；其特征在于，工序d）中的液相外延生长包括以下步骤：e)在工序c)中获得的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液中加入所述Ba‑Cu‑O先驱粉末，并在所述第一温度进行保温；f)将步骤e）中的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液以第一降温速度降低至第二温度；g)将固定在连接杆上的NdGaO3单晶基板沿长轴方向以第一下降速度插入到步骤f)得到的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液中，外延生长一段时间后取出，获得纯a轴取向的YBCO液相外延膜；所述NdGaO3单晶基板的晶面指数为（110），所述NdGaO3单晶基板的长轴方向的晶向指数为[001]，所述NdGaO3单晶基板的短轴方向的晶向指数为[110]。