[发明专利]一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法有效
申请号: | 201310499193.5 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103579415A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 高义华;张翔晖;韩祥云;苏俊;张旗 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器,属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术,通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数,在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长,然后利用透明导电玻璃直接贴压法,得到对365nm紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单,材料成本低廉,在快速紫外光电传感器和短波长光电器件领域有广泛的运用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 纳米 阵列 紫外 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化锌纳米线阵列紫外光探测器的制备方法,其特征在于包括:1)利用化学气相沉积法,在本征或者p型导电的氮化镓薄膜上生长氧化锌纳米线阵列;2)用导电玻璃和所述氧化锌纳米线阵列直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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