[发明专利]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201310495955.4 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103606576A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池，具有以下结构：具有衬底，在衬底上依次具有第一过渡金属层，粗化金属层、p型半导体层、n型半导体层、第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。衬底具有平坦的上表面，第一过渡金属层的上表面与粗化金属层的下表面之间的接触面为第一粗化面，粗化金属层的上表面与p型半导体层的下表面之间的接触面为第二粗化面；p型半导体层的上表面与n型半导体层的下表面之间的接触面为第三粗化面；n型半导体层的上表面与第二过渡金属层的下表面之间的接触面为第四粗化面；第二过渡金属层的上表面与ZnO层的下表面之间的接触面为平坦的接触面；ZnO层的上表面与透明导电层的下表面之间的接触面为平坦的接触面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，具有以下结构：具有衬底，在衬底上依次具有第一过渡金属层，粗化金属层、p型半导体层、n型半导体层、第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。衬底具有平坦的上表面，第一过渡金属层的上表面与粗化金属层的下表面之间的接触面为第一粗化面，粗化金属层的上表面与p型半导体层的下表面之间的接触面为第二粗化面；p型半导体层的上表面与n型半导体层的下表面之间的接触面为第三粗化面；n型半导体层的上表面与第二过渡金属层的下表面之间的接触面为第四粗化面；第二过渡金属层的上表面与ZnO层的下表面之间的接触面为平坦的接触面；ZnO层的上表面与透明导电层的下表面之间的接触面为平坦的接触面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
