[发明专利]一种基于四氧化三钴纳米针的气敏传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米针阵列的气敏传感器及其制备方法，该传感器的结构自下往上依次为绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。本发明气敏传感器的基于水热反应制备，水热反应中所使用的水溶液中含有钴盐、结合剂和碱性反应物。本发明的气敏传感器以四氧化三钴纳米针阵列作为气敏传感层，器件结构简单，性能优越，且纳米针具有较大的比表面积和电子迁移率，有利于提高气敏传感器的灵敏度，降低最佳工作温度为130℃，且制备方法简单，成本低，避免了分散或操纵纳米材料的困难，制备的气敏传感器性能差异小，适用于工业化批量生产。

主权项

一种基于四氧化三钴纳米针的气敏传感器，自下往上依次包括绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，其特征在于，所述的四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。