[发明专利]一种In-Sb-Te三元相变纳米管及其阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种In-Sb-Te三元相变纳米管及其阵列的制备方法，配制pH=2.2缓冲溶液，加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾；将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；进行差分脉冲电沉积。本发明的In-Sb-Te纳米管是采用差分脉冲电沉积方法和模板法相结合的方法，具有产率大、工艺简单、合成温度低、尺寸均匀、重复性高等优点。由本方法得到的In-Sb-Te纳米管直径为纳米级，长度为几微米到几十微米且尺寸均匀，光滑，并具有阵列结构，属于相变性质的良好材料。

主权项

一种In‑Sb‑Te三元相变纳米管，其特征在于，所述In、Sb、Te三种元素沿纳米管长度和径向均匀分布，按照下述步骤进行制备：步骤1，制备电解液：配制pH=2.2缓冲溶液，并向所述缓冲溶液中加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾，完全溶解均匀；步骤2，准备电解池：将模板的一面导电作为工作电极，同时在电解池中设置参比电极和对电极，并将步骤1制备的电解液转移至电解池中，然后将电解池密封通入惰性气体，以除去电解液中的溶解氧；步骤3，进行电化学沉积：选择进行差分脉冲电沉积，一个脉冲循环参数为先在‑1.6V下沉积50ms，然后在‑1.4V下沉积50ms，再选择在‑1.3V下沉积50ms，最后在‑0.4V下沉积50ms，依照脉冲循环参数连续进行沉积。