[发明专利]一种赫赛汀修饰的载有量子点/四氧化三铁的磁性荧光二氧化硅纳米粒的制备方法无效
申请号: | 201310485311.7 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN104560009A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 潘杰;卞雨霞;万冬;卢涛 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01F1/11;C12N5/09 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300160*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种赫赛汀修饰的载有量子点/四氧化三铁的磁性荧光二氧化硅纳米粒的制备方法,本发明制备的复合纳米粒可用分离和检测循环肿瘤细胞。本发明提供的一种赫赛汀修饰的载有量子点/四氧化三铁的磁性荧光二氧化硅纳米粒的制备方法是:首先制备多面体低聚倍半氧硅烷(POSS)共轭的量子点,随后用二氧化硅球包覆POSS共轭的量子点,然后将Br-IO共轭到QD-SiNP的外层,最后将赫赛汀共轭到IO-QD-SiNP上,最终得到了赫赛汀修饰的载有量子点/四氧化三铁的磁性荧光二氧化硅纳米粒。该方法制备的复合纳米粒具有荧光,磁性和靶向功能,有望用于体内和体外生物成像方面更多的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫赛汀 修饰 载有 量子 氧化 磁性 荧光 二氧化硅 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种赫赛汀修饰的多面体低聚倍半氧硅烷共轭量子点‑二氧化硅/四氧化三铁纳米粒的制备方法,其特征在于本发明提供的方法为:首先制备多面体低聚倍半氧硅烷(POSS)共轭的量子点,随后用二氧化硅球包覆POSS共轭的量子点(QD‑SiNP),然后将用溴修饰的四氧化三铁(Br‑IO)共轭到QD‑SiNP的外层(IO‑QD‑SiNP),最后将赫赛汀共轭到IO‑QD‑SiNP上,最终得到了赫赛汀修饰的多面体低聚倍半氧硅烷共轭量子点‑二氧化硅/四氧化三铁纳米粒,一种具有荧光和磁性的靶向复合纳米粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学,未经天津工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310485311.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽油燃烧残留清除剂
- 下一篇:一种理化板用酚醛树脂胶黏剂