[发明专利]用于多形貌稀土上转换发光纳米晶表面直接介孔修饰的制备方法无效
| 申请号： | 201310480051.4 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103540310A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 孙丽宁;施利毅;刘涛;仇衍楠;刘金亮;王志娟 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/85;G01N21/64;B82Y30/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多形貌稀土上转换发光纳米晶表面直接介孔修饰的制备方法，包括以下步骤：首先，以多形貌稀土上转换发光纳米晶为核，用十六烷基三甲基溴化铵为辅助剂将疏水性稀土上转换纳米晶转换为亲水性；而后，将亲水性上转换纳米晶分散在混合溶液中；滴加正硅酸乙酯，生成介孔二氧化硅直接包覆的稀土上转换纳米晶；去除模板剂，即得到一种多功能介孔纳米荧光材料。本发明提供的“一步法”所合成的多功能介孔纳米荧光材料尺寸均一、结构稳定，并且具有荧光强度较高、比表面积较大等优点。所得多功能介孔纳米荧光材料在细胞或组织的上转换荧光标记、载药及肿瘤靶向治疗等领域具有潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形貌 稀土 转换 发光 纳米 表面 直接 修饰 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于多形貌稀土上转换发光纳米晶表面直接介孔修饰的制备方法，其特征在于该方法包括以下工艺步骤：（1）将疏水性稀土上转换纳米晶通过十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）转换为亲水性，形成第一分散液；（2）将CTAB、去离子水、乙醇和氢氧化钠溶液充分混合形成第二分散液，将第一分散液加入第二分散液中搅拌并加热；（3）向第一、第二分散液的混合溶液中加入正硅酸乙酯（TEOS），生成介孔荧光多功能纳米产物；（4）将纳米产物除去模板剂CTAB，制得介孔直接包覆的基于多形貌稀土上转换纳米晶的多功能介孔纳米荧光材料。
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