[发明专利]一种面内剪切型压电敏感元件及其制作方法无效
申请号: | 201310469833.8 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103526292A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 周文松;李惠;袁富国 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;G01H11/08 |
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地址: | 150090 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供一种面内剪切型压电敏感元件及其制作方法,方法如下:采用弛豫铁电单晶材料,首先将晶体沿[011]方向,即Z向极化,然后切割出垂直于该方向的平面(011),该平面由坐标轴X和Y表示,在该平面沿与坐标轴夹角45度方向切割正方体晶片,切割得到正方体晶片之后,在其上下表面制作电极,得到内剪切型压电敏感元件,所述的[001]、[010]、[100]及[011]为晶体学中表示晶向的密勒指数,(011)表示晶面的密勒指数,[011]方向与(011)面相互垂直,x,y,z表示原晶体所置于的坐标系,其中z向为晶体的生长方向。本发明具有体积微小,可永久固定于结构表面或嵌入内部的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 剪切 压电 敏感 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种面内剪切型压电敏感元件的制作方法,其特征在于,方法如下:采用弛豫铁电单晶材料,首先将晶体沿[011]方向极化,该方向定义为坐标轴Z,然后切割出垂直于该方向的平面(011),该平面由坐标轴X和Y表示,在该平面沿与坐标轴夹角45度方向切割正方体晶片,切割得到正方体晶片之后,在其上下表面制作电极,得到面内剪切型压电敏感元件,所述的[001]、[010]、[100]及[011]为晶体学中表示晶向的密勒指数,(011)表示晶面的密勒指数,[011]方向与(011)面相互垂直,x,y,z表示原晶体所置于的坐标系,分别对应[100]、[010]和[001]方向,其中z向为晶体的生长方向。
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