[发明专利]数字微镜器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310464324.6 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104516104B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;汪新学;倪梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种数字微镜器件的形成方法，包括提供形成有微镜器件控制电路的基底；在基底上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成导电材料层、位于导电材料层上的介质材料层、及位于介质材料层上的图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层为掩模，对介质材料层及导电材料层进行干法刻蚀，以形成铰链；形成铰链之后，利用湿法刻蚀方法去除部分图形化光刻胶层；对图形化光刻胶层的剩余部分进行各向异性的干法刻蚀。在保证整个图形化光刻胶层被干净去除的同时，既不会腐蚀铰链下方的第一牺牲层、以致不会出现铰链倒塌的问题，又能保护铰链中的介质层不被刻蚀，还减轻了基底受到的等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种数字微镜器件的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有数字微镜器件控制电路的基底；在所述基底上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成导电材料层、位于所述导电材料层上的介质材料层、及位于所述介质材料层上的图形化光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述介质材料层及导电材料层进行干法刻蚀，以形成铰链；形成所述铰链之后，利用湿法刻蚀方法去除部分所述图形化光刻胶层；对所述图形化光刻胶层的剩余部分进行各向异性的干法刻蚀；其中，所述图形化光刻胶层的厚度为12600至15400埃；所述图形化光刻胶层的剩余部分厚度为300至400埃。
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