[发明专利]一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用无效
| 申请号： | 201310436069.4 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103496675A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 何军;王启胜;沙法德·穆罕默德;詹雪莹 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B19/02 | 分类号： | C01B19/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用，所述碲纳米线阵列具有尖锐端口，其场发射开启电场强度较低。所述制备方法是通过物理气相沉淀法，以碲为蒸发源，并在硅片上沉积碲纳米线得到所述碲纳米线阵列；所述制备方法具有实验设备和步骤简单，不涉及复杂化学反应，具有环境友好性等特点。本发明提供的碲纳米线阵列具有优异的稳定性，可广泛应用于场发射器件的冷阴极、场发射平面显示器和/或真空微电子器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发射 特性 纳米 阵列 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有场发射特性的碲纳米线阵列，其特征在于，所述碲纳米线阵列具有尖锐端口；优选地，所述碲纳米线阵列的顶端呈圆锥形或圆柱形，或者所述碲纳米线阵列由圆锥形碲纳米线组成；优选地，所述碲纳米线阵列的开启电场强度为3.27～6.67V/μm，优选3.27～3.71V/μm。
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