[发明专利]热退火工艺有效
| 申请号： | 201310434981.6 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103571252A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | P·赫斯塔德;顾歆宇;张诗玮;J·温霍尔德;P·特雷福纳斯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | C09D7/00 | 分类号： | C09D7/00;H01L21/033;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 热退火工艺。提供了一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg／mol；和，抗氧化剂，其中共聚物组合物包含＞2wt％的抗氧化剂，基于嵌段共聚物组分的重量；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在240到350℃和包含＞20wt％O2的气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)‑b‑聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)‑b‑聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg／mol；和，抗氧化剂，其中共聚物组合物包含＞2wt％的抗氧化剂，基于嵌段共聚物组分的重量；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在240到350℃和包含≥20wt％O2的气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。
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