[发明专利]一种压电性聚偏氟乙烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310430693.3 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104448360B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;邵喜胜 | 申请（专利权）人： | 福建省辉锐材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;B29D7/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电性聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤制备聚偏氟乙烯薄膜，拉伸聚偏氟乙烯薄膜，极化聚偏氟乙烯薄膜。本发明制得的压电性聚偏氟乙烯薄膜机械强度高、压电性能好，且具有良好的透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 性聚偏氟 乙烯 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压电性聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：制备聚偏氟乙烯薄膜：将聚偏氟乙烯粉末溶解于有机溶剂中形成混合溶液，将所述混合溶液保持在60‑70℃下进行2‑4小时超声振荡去除气泡；过滤出所述混合溶液中的不溶物，之后将混合溶液放在真空中静置30‑60min；将所获得的混合溶液滴在衬底上，接着将所述衬底放在真空中静置成膜或甩膜成型；将成膜的衬底放在60‑150℃的条件下干燥，然后放置空气中冷却得到聚偏氟乙烯薄膜；拉伸聚偏氟乙烯薄膜：拉伸温度为65‑135℃，拉伸速率为10‑100mm/min，拉伸比为1‑10，拉伸停止之后将温度调整至80‑120℃保温10‑30min并进行冷却，最后在65‑150℃条件下进行退火处理0‑48h；极化聚偏氟乙烯薄膜：将经过拉伸处理后的聚偏氟乙烯薄膜的两面镀上电极，然后进行热极化处理，得到压电性聚偏氟乙烯薄膜，极化温度设定为10‑100℃，极化电压为10‑200MV/m，极化时间为1‑120min。
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