[发明专利]一种氰酸酯树脂薄膜的制备方法及其反应设备有效
申请号: | 201310428724.1 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN103469174A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 赵雄燕 | 申请(专利权)人: | 河北科技大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 050000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种氰酸酯树脂薄膜的制备方法及其反应设备,属于氰酸酯树脂超薄膜的有机合成技术领域。采用氰酸酯树脂单体通过等离子体聚合生成氰酸酯树脂超薄膜;所述制备方法的主要步骤包括基片预处理、单体预处理和等离子体聚合;所述等离子体聚合条件为压力5~20Pa、等离子体脉冲宽度为20~100s、等离子体聚合功率为15~85W、等离子体聚合时间为20~100min;所述反应设备包括主反应室和副反应室,通过两反应室的通断变换和推杆的左右移动将固相单体导入主反应室中,解决了固相单体进料难的问题。该制备方法所制得的薄膜介电常数低、无缺陷、质量高;制备过程简单,易于实施,没有环境污染,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 氰酸 树脂 薄膜 制备 方法 及其 反应 设备 | ||
【主权项】:
一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法,其特征在于:采用氰酸酯树脂单体通过等离子体聚合生成氰酸酯树脂超薄膜;所述制备方法的主要步骤包括:1)基片(14)预处理;2)氰酸酯树脂单体(8)预处理;3)氰酸酯树脂单体(8)等离子体聚合在基片(14)上:所述等离子体聚合条件为压力5~20Pa、等离子体脉冲宽度为20~100s、等离子体聚合功率为15~85W、等离子体聚合时间为20~100min。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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