[发明专利]一种氰酸酯树脂薄膜的制备方法及其反应设备有效

专利信息
申请号: 201310428724.1 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN103469174A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 赵雄燕 申请(专利权)人: 河北科技大学
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050000 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种氰酸酯树脂薄膜的制备方法及其反应设备,属于氰酸酯树脂超薄膜的有机合成技术领域。采用氰酸酯树脂单体通过等离子体聚合生成氰酸酯树脂超薄膜;所述制备方法的主要步骤包括基片预处理、单体预处理和等离子体聚合;所述等离子体聚合条件为压力5~20Pa、等离子体脉冲宽度为20~100s、等离子体聚合功率为15~85W、等离子体聚合时间为20~100min;所述反应设备包括主反应室和副反应室,通过两反应室的通断变换和推杆的左右移动将固相单体导入主反应室中,解决了固相单体进料难的问题。该制备方法所制得的薄膜介电常数低、无缺陷、质量高;制备过程简单,易于实施,没有环境污染,成本低。
搜索关键词: 一种 氰酸 树脂 薄膜 制备 方法 及其 反应 设备
【主权项】:
一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法,其特征在于:采用氰酸酯树脂单体通过等离子体聚合生成氰酸酯树脂超薄膜;所述制备方法的主要步骤包括:1)基片(14)预处理;2)氰酸酯树脂单体(8)预处理;3)氰酸酯树脂单体(8)等离子体聚合在基片(14)上:所述等离子体聚合条件为压力5~20Pa、等离子体脉冲宽度为20~100s、等离子体聚合功率为15~85W、等离子体聚合时间为20~100min。
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