[发明专利]还原氧化石墨烯对电极的制备方法及其应用有效
申请号: | 201310401152.8 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN104425135B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 贺蒙;殷雄;吴凡;徐鹏 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01G11/36;H01G11/38;H01G11/86 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 李婉婉,张苗 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种还原氧化石墨烯对电极的制备方法及其应用。该制备方法包括将含有氧化石墨烯和纳米二氧化钛的分散液涂覆在导电基底上并去除所述含有氧化石墨烯和纳米二氧化钛的分散液的分散剂,从而在所述导电基底表面生成初生膜,然后对所述初生膜进行紫外光照射,从而得到还原氧化石墨烯膜。采用本发明提供的方法制备还原氧化石墨烯对电极可以有效避免使用有毒化学试剂或在高温、高压下反应所带来的不安全因素,环境友好且步骤简单,可以用于大规模制备还原氧化石墨烯对电极。 | ||
搜索关键词: | 还原 氧化 石墨 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种还原氧化石墨烯对电极的制备方法,其特征在于,该方法包括:将含有氧化石墨烯和纳米二氧化钛的分散液涂覆在导电基底上,并去除所述含有氧化石墨烯和纳米二氧化钛的分散液中的分散剂,从而在所述导电基底表面形成初生膜,并对所述初生膜进行紫外光照射,从而得到还原氧化石墨烯膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心,未经国家纳米科学中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310401152.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:开关系统
- 下一篇:镶埋式合金电感的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择