[发明专利]芳基桥联倍半硅氧烷单体及其制备方法在审
申请号: | 201310399861.7 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103450247A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 杨本宏;杨宪;孙改行 | 申请(专利权)人: | 合肥学院 |
主分类号: | C07F7/18 | 分类号: | C07F7/18 |
代理公司: | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人: | 汤茂盛 |
地址: | 230601 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种芳基桥联倍半硅氧烷单体的制备方法,包括二卤代芳烃与金属镁进行格氏反应制得格氏试剂,以及格氏试剂与三乙氧基氯硅烷进行亲核取代反应生成芳基桥联倍半硅氧烷单体。上述反应中以三乙氧基氯硅烷为反应原料,反应活化能较低、专一性强,芳基桥联倍半硅氧烷单体的产率高,制得的芳基桥联倍半硅氧烷单体水解-缩聚得到的芳基桥联聚倍半硅氧烷的成孔性和耐高温性好。 | ||
搜索关键词: | 芳基桥联倍半硅氧烷 单体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种芳基桥联倍半硅氧烷单体的制备方法,包括二卤代芳烃与金属镁进行格氏反应制得格氏试剂,以及格氏试剂与三乙氧基氯硅烷进行亲核取代反应生成芳基桥联倍半硅氧烷单体。
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