[发明专利]光伏装置

摘要

本发明公开一种光伏装置。所述光伏装置包括窗口层和半导体层，所述半导体层包括安置在窗口层上的半导体材料。所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，而所述第二区域包括富含硫族元素的区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且所述第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。

主权项

1.一种光伏装置，包括：窗口层；半导体层，所述半导体层包括安置在所述窗口层上的半导体材料，其中所述半导体层包括安置在所述窗口层附近的第一区域和富含硫族元素的区域，其中所述半导体层包括碘，其中所述第一区域和所述富含硫族元素的区域包括掺杂剂，并且所述富含硫族元素的区域中所述掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中所述掺杂剂的平均原子浓度，其中所述富含硫族元素的区域中碘的平均浓度处于从1 x 10¹⁶原子/cm³到1 x 10¹⁹ 原子/cm³的范围内。