[发明专利]具有改善的温度范围的薄膜有效
| 申请号： | 201310381565.4 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103708404B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | P.W.巴思 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11484 | 代理人： | 陈静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了器件和形成所述器件的方法。所述器件包含基底和薄膜。所述基底的特征为具有第一热膨胀系数。所述薄膜与基底的表面连接，并且特征为具有第二热膨胀系数。所述薄膜包含呈压缩状态的第一层和第二层，和呈拉伸状态的第三层，所述第三层位于第一层和第二层之间。所述薄膜在一定温度范围内为净拉伸状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 温度 范围 薄膜 | ||
【主权项】：
一种包括基底和薄膜的器件，其包含：特征为具有第一CTE(热膨胀系数)的所述基底，所述基底具有表面；和与所述表面连接的所述薄膜，所述薄膜的特征为具有不同于所述第一CTE的第二CTE；所述薄膜包含：呈压缩状态的第一层和第二层；和呈拉伸状态的第三层，所述第三层位于所述第一层和第二层之间；其中在一温度范围内所述薄膜对所述基底施加净拉伸力。
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