[发明专利]一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法有效
申请号: | 201310367670.2 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103441191A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 白一鸣;辛雅焜;高征;吴强;何海洋;刘海;陈诺夫 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京麟保德和知识产权代理事务所(普通合伙) 11428 | 代理人: | 周恺丰 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于薄膜太阳电池技术领域的一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法。本发明的方法采用磁控溅射结合原位退火的方式制备了Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒陷光结构。磁控溅射法制备金属纳米颗粒简单易行且重复性好。因此,非常容易通过工艺参数如薄膜厚度和退火温度的改变,制备不同形貌、不同芯壳尺寸及不同表面覆盖率的Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒。通过对上述参数的改变,可以有效调节纳米颗粒的光学性能,展宽其消光谱峰。其消光峰位在350~700nm范围可调,消光谱半高宽显著展宽,且用做非晶硅薄膜太阳电池陷光结构,可以极大地提高太阳电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳电池 ag al 复合 纳米 颗粒 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选择基体材料;步骤2:在基体材料上采用磁控溅射法室温下制备Ag薄膜;步骤3:对Ag薄膜进行原位退火,形成Ag芯纳米颗粒;步骤4:在已制备Ag芯纳米颗粒的基体材料上,再次采用磁控溅射法室温下制备Al薄膜;步骤5:对Al薄膜进行原位退火,形成Al壳层纳米颗粒的同时,形成薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构;步骤6:完善太阳电池器件工艺,制备出含有Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的薄膜太阳电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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