[发明专利]一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310367670.2 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103441191A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 白一鸣;辛雅焜;高征;吴强;何海洋;刘海;陈诺夫 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 北京麟保德和知识产权代理事务所(普通合伙) 11428 代理人: 周恺丰
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于薄膜太阳电池技术领域的一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法。本发明的方法采用磁控溅射结合原位退火的方式制备了Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒陷光结构。磁控溅射法制备金属纳米颗粒简单易行且重复性好。因此,非常容易通过工艺参数如薄膜厚度和退火温度的改变,制备不同形貌、不同芯壳尺寸及不同表面覆盖率的Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒。通过对上述参数的改变,可以有效调节纳米颗粒的光学性能,展宽其消光谱峰。其消光峰位在350~700nm范围可调,消光谱半高宽显著展宽,且用做非晶硅薄膜太阳电池陷光结构,可以极大地提高太阳电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳电池 ag al 复合 纳米 颗粒 结构 制备 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选择基体材料;步骤2:在基体材料上采用磁控溅射法室温下制备Ag薄膜;步骤3:对Ag薄膜进行原位退火,形成Ag芯纳米颗粒;步骤4:在已制备Ag芯纳米颗粒的基体材料上,再次采用磁控溅射法室温下制备Al薄膜;步骤5:对Al薄膜进行原位退火,形成Al壳层纳米颗粒的同时,形成薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构;步骤6:完善太阳电池器件工艺,制备出含有Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的薄膜太阳电池。
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