[发明专利]用于射频超导腔的稀土掺杂铌材及其制备方法无效
申请号: | 201310349431.4 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN103397236A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 赵夔;焦飞;江涛;赵红运;陆真冀 | 申请(专利权)人: | 赵夔 |
主分类号: | C22C27/02 | 分类号: | C22C27/02;C22C1/02;C23C10/00;C23C14/48;H05B7/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于射频超导腔的稀土掺杂铌材,属于超导加速器技术领域。该稀土掺杂铌材为掺入钪或钇元素的高纯铌材,掺入的钪或钇的原子比含量范围为0.01%~0.5%。其制备方法包括冶炼掺杂方式或离子注入方式。冶炼掺杂方式制备的稀土掺杂铌材使得杂质原子在铌材内均匀分布;离子注入方式制备的稀土掺杂铌材则仅在铌材表层500nm的范围内有杂质原子分布。本发明的铌材可以减小材料的电子平均自由程,提高下临界磁场和上临界磁场。用该材料制备的射频超导腔具有更高的失超磁场,能工作在更高的磁场下,提供更高的加速电场。本发明的冶炼掺杂的方法相对比较简单,制备的速度快。离子注入的方法易于控制掺杂含量,节省钪及钇的用量。 | ||
搜索关键词: | 用于 射频 超导 稀土 掺杂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于射频超导腔的稀土掺杂铌材。其特征在于,该稀土掺杂铌材为掺入钪或钇元素的高纯铌材,掺入的钪或钇的原子比范围为0.01%~0.5%。
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