[发明专利]反应腔室及外延生长设备有效
申请号: | 201310349288.9 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN104372310B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 涂冶 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的反应腔室及外延生长设备,其包括多个托盘、交变电源和感应线圈,交变电源用于向感应线圈通入交变电流;感应线圈包括第一感应线圈和第二感应线圈,第一感应线圈缠绕于反应腔室的侧壁外侧;第二感应线圈缠绕于反应腔室内,且沿竖直方向贯穿多个托盘;并且第一感应线圈的缠绕方向与第二感应线圈的缠绕方向相同,且交变电源分别向二者通入相位相差180°的交变电流;或者,第一感应线圈的缠绕方向与第二感应线圈的缠绕方向相反,且交变电源分别向二者通入相位相同的交变电流,以使分别由二者产生的交变磁场在托盘处的方向保持一致,从而可以提高托盘各个区域的温度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 反应 外延 生长 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,包括多个托盘、交变电源和感应线圈,所述多个托盘采用磁导体材料制作,且沿竖直方向间隔设置在所述反应腔室内;所述交变电源用于向所述感应线圈通入交变电流;其特征在于,所述感应线圈包括第一感应线圈和第二感应线圈,所述第一感应线圈缠绕于所述反应腔室的侧壁外侧;所述第二感应线圈缠绕于所述反应腔室内,且沿竖直方向贯穿所述多个托盘;并且所述第一感应线圈的缠绕方向与所述第二感应线圈的缠绕方向相同,且所述交变电源分别向二者通入相位相差180°的交变电流;或者,所述第一感应线圈的缠绕方向与所述第二感应线圈的缠绕方向相反,且所述交变电源分别向二者通入相位相同的交变电流,以使分别由二者产生的交变磁场在托盘处的方向保持一致;所述第二感应线圈包括多个单匝线圈和连接部,其中所述多个单匝线圈沿竖直方向间隔设置,且每个单匝线圈所在平面平行于水平面,并且每个单匝线圈包括彼此水平间隔的左连接端和右连接端,且每个单匝线圈的左连接端或右连接端的位置与相邻且位于其上方的单匝线圈的右连接端或左连接端的位置相对应;所述连接部分别位于相邻两个单匝线圈的位置相对应的左连接端和右连接端之间,且分别与二者电连接,以使所述第二感应线圈形成由所有的所述单匝线圈串接而成的缠绕结构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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