[发明专利]一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法

摘要

本发明属半导体光刻工艺可制造性设计领域，具体涉及一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法。先采用矩形扩展的方法构建冲突图；然后随机产生三着色初始解，每轮优化分别依次固定一种颜色，对剩余二种颜色的冲突子图利用双重曝光图案分配方法进行双着色优化，重复迭代优化过程，直到当前最优解若干次未发生更新；最后反复调用上述步骤多次并从中挑选最优的三着色结果作为输出。本发明采用已有的双重曝光图案分配方法，采用多次计算选其最优的策略，寻找全局最优解，达到为三重曝光光刻工艺分配版图图案的目的。

主权项

一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法，其特征是，所述的方法是一种利用双重曝光图案分配方法，解决三重曝光版图图案分配的方法，步骤包括：输入参数：版图文件、冲突距离b、迭代次数ns、连续无更新次数t、冲突边权重系数wc和缝合边权重系数ws；输出结果：版图图案的三着色结果，即版图图案的三重曝光分配方案；步骤1：构建冲突图；步骤2：对冲突图顶点进行三着色优化：随机产生三着色初始解；每轮优化分别依次固定一种颜色，对剩余二种颜色的冲突子图利用双重曝光图案分配方法进行双着色优化，重复迭代优化过程，直到当前最优解若干次未发生更新；其中，对双重曝光版图分解方法的限制为：算法的时间复杂度小、能够减小目标函数、冲突图二着色算法不能仅仅局限于平面图；步骤3：反复调用步骤2达ns次，并从中挑选最优的三着色结果作为输出，算法结束。