[发明专利]硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池

摘要

本发明涉及一种硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、In_xGa_1-xN第一电池和In_yGa_1-yN第二电池；所述底电池的p-Si层上面至第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，第一电池和第二电池之间有隧道结，其特点是：所述底电池衬底下面制有负电极；第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。本发明由于在底电池衬底下面直接蒸镀负电极，简化了工艺，降低了成本，还可当做反射镜使用，充分利用了太阳光谱、电池总转换效率可达40%以上；通过蒸镀半透明电流扩展层，加强了正电极对载流子的收集，提高了电池的抗辐射能力，延长了电池的使用寿命。

主权项

硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、In_xGa_1‑xN第一电池和In_yGa_1‑yN第二电池，Si底电池由n‑Si衬底和p‑Si层构成；所述p‑Si层上面至In_xGa_1‑xN第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，In_xGa_1‑xN第一电池和In_yGa_1‑yN第二电池之间有隧道结，其特征在于：所述n‑Si衬底下面制有负电极；所述In_yGa_1‑yN第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。