[发明专利]嵌有FP腔的MZ干涉式光学生化传感芯片有效
| 申请号： | 201310330166.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103558183A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王卓然;袁国慧;高亮 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明为了解决某些生物化学物质的探测问题，一种嵌有FP腔的MZ干涉式光学生化传感芯片，主要包括MZ干涉单元，所述MZ干涉单元包括两段光波导，在其中一段光波导上包含有光栅FP腔，所述MZ干涉单元与光栅FP腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接。本发明的嵌有FP腔的MZ干涉式光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成两个自由光谱范围不同，且以光栅FP光学谐振腔（光栅FP腔）嵌入在MZ干涉结构（MZ干涉单元）的一个臂（其中一段波导）中相连接的方式形成干涉式光学谐振腔，用于检测外界物质对光信号的影响。与其他的生化传感芯片相比，具有制作工艺标准化、便于集成化、传感性能优良等一系列特点。 | ||
| 搜索关键词： | fp mz 干涉 光学 生化 传感 芯片 | ||
【主权项】：
嵌有FP腔的MZ干涉式光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含MZ干涉单元，所述MZ干涉单元包括两段光波导，在其中一段光波导上包含有光栅FP腔，所述MZ干涉单元与光栅FP腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接。
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