[发明专利]与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路及同步整流方法有效
| 申请号： | 201310323655.8 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103391016B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 魏其萃;翁大丰 | 申请（专利权）人： | 魏其萃 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路，包括MOSFET构成的整流电路；MOSFET构成的整流电路中包括两个用于电流流动的单向开关阀和两个双向开关阀。单向开关阀通过MOSFET和驱动电路A构成；驱动电路A包括MOSFET检测网络等；MOSFET检测网络包括电流源等；MOSFET检测网络的输入端与电压输入端相连接，电阻的一端与MOSFET检测网络的输入端相连接，电阻的另外一端与MOSFET检测网络的输出端相连接，电流源和稳压管与电阻相连接；电压比较器包括参考电压等；参考电压与比较器的正极输入端相连接；MOSFET检测网络的输出端与比较器的负极输入端相连接；比较器的输出端与驱动器的输入端相连接；驱动器与MOSFET的栅极相连接；的电流源通过在参考电压上外接外接电阻产生。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 电容 直接 并联 mosfet 同步 整流 电路 方法 | ||
【主权项】：
与输出电容直接并联的MOSFET同步整流电路，包括MOSFET构成的整流电路；其特征是：所述MOSFET构成的整流电路中包括两个用于电流流动的单向开关阀和两个双向开关阀；所述单向开关阀通过MOSFET和驱动电路A构成；所述驱动电路A包括依次信号连接的MOSFET检测网络(100)、电平比较器(200)和驱动器(300)；所述MOSFET检测网络(100)包括电流源、电阻和稳压管；MOSFET检测网络(100)的输入端与MOSFET构成的整流电路的电压输入端相连接，所述电阻的一端与MOSFET检测网络(100)的输入端相连接，所述电阻的另外一端与MOSFET检测网络(100)的输出端相连接，所述电流源和稳压管分别在MOSFET检测网络(100)的输出端与电阻相连接；所述电压比较器(200)包括参考电压和比较器；所述参考电压与比较器的正极输入端相连接；所述MOSFET检测网络(100)的输出端与比较器的负极输入端相连接；所述比较器的输出端与驱动器(300)的输入端相连接；所述驱动器(300)的输出端与MOSFET的栅极相连接；所述的电流源通过在参考电压上外接外接电阻产生。
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