[发明专利]砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310322211.2 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367481A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 巫江;刘利辉;刘沈厅;余鹏;徐星亮;丁庆华;李含东;周志华;王志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谢敏 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方案，属于红外光电探测器领域。砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起。本发明通过使器件在外延生长过程中在砷化镓铝势垒材料中生长出三维结构的砷化镓量子环，避免了晶格失配应力，从而可以通过增加量子结构的叠层数来提高探测器有源区的光吸收，增加红外光电探测器的探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓量 子环 红外 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），其特征在于，还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
