[发明专利]高导磁拼接盆架有效
| 申请号： | 201310314732.3 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103369435A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 邵明辉;牟宗君;许超 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R7/20 | 分类号： | H04R7/20 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架，磁路系统包括中心磁铁；盆架包括低磁导率的导磁板和高磁导率的导磁板，其中，在低磁导率的导磁板上开设有与中心磁铁相对应的通孔；中心磁铁粘接设置在低磁导率的导磁板的通孔上；高磁导率的导磁板粘接设置在低磁导率的导磁板下方与中心磁铁相对应的位置，并且，高磁导率的导磁板的厚度小于低磁导率的导磁板的厚度。利用上述本发明的高导磁拼接盆架，可以有效缓解磁路系统形成的磁间隙产生的磁饱和，同时增加磁路系统中中心磁铁的厚度，进一步扩大音圈的驱动力，提升产品灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 高导磁 拼接 | ||
【主权项】：
一种高导磁拼接盆架，包括磁路系统和固定收容所述磁路系统的盆架，所述磁路系统包括中心磁铁（1）；所述盆架包括低磁导率的导磁板（2）和高磁导率的导磁板（3），其特征在于，在所述低磁导率的导磁板（2）上开设有与所述中心磁铁（1）相对应的通孔；所述中心磁铁（1）粘接设置在所述低磁导率的导磁板（2）的通孔上；所述高磁导率的导磁板（3）粘接设置在所述低磁导率的导磁板（2）下方与所述中心磁铁（1）相对应的位置，并且，所述高磁导率的导磁板（3）的厚度小于所述低磁导率的导磁板（2）的厚度。
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