[发明专利]具有已调晶粒尺寸的薄膜有效
| 申请号： | 201310313416.4 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103531209B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | V·R·印图瑞;田伟;H·殷;M·C·考茨基;M·T·凯夫;M·朱;E·L·C·埃斯特瑞恩 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开具有已调晶粒尺寸的薄膜。一种设备及相关的方法提供磁性写入元件，其可具有在低温衬底温度下被调整到预定的第一晶粒尺寸的至少一个写入磁极。可以形成具有在低温衬底温度下调整的预定的第二晶粒尺寸的磁性屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶粒 尺寸 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储设备，包括接触磁性屏蔽的写入磁极，所述磁性屏蔽在第一低温衬底温度下被调整到第一预定晶粒尺寸，且所述写入磁极在50开尔文的第二低温衬底温度下被调整到第二预定晶粒尺寸。
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