[发明专利]一种微米纳米复合周期结构的制备方法无效
| 申请号： | 201310303765.8 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103447693A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 贾鑫 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;B23K26/067;G02B27/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微米纳米复合周期结构的制备方法，将激光干涉技术与飞秒激光诱导准周期纳米结构相结合，在传统激光干涉技术制备周期结构的基础上引入了飞秒激光诱导的准周期纳米结构。由于飞秒激光诱导的纳米结构与激光偏振密切相关，通过改变四光束间的偏振状态和能量，可以制备不同的微米纳米复合周期结构，技术实施方便快捷，制备时间短，弥补了现有激光干涉技术花样单调，缺乏灵活性的不足。同时，由于干涉的特性，制得的微米纳米复合周期结构具有良好的周期性和均匀性，改进了飞秒激光诱导准周期纳米结构的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 纳米 复合 周期 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米纳米复合周期结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 建立飞秒激光四光束干涉系统，使得所述飞秒激光四光束干涉系统产生的四束光的空间位置呈正方形排布,且最终出射后共焦和相互干涉； 提供用以制备不同的微米纳米复合周期结构的多个半导体样品； 针对每个半导体样品来改变所述四束光的偏振状态和能量后，将相应的半导体样品放置在四束光的共焦处烧蚀，制备出相应的微米纳米复合周期结构，每个微米纳米复合周期结构均包括干涉强度花样决定的微米长周期结构和飞秒激光诱导的准周期纳米结构。
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