[发明专利]一种纳米多元复合晶粒长大抑制剂的制备方法在审
申请号: | 201310303214.1 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103343257A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 叶金文;刘颖;马世卿 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C22C1/10 | 分类号: | C22C1/10;C22C29/08 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 黄幼陵;肖睿泽 |
地址: | 610065 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种纳米多元复合晶粒长大抑制剂的制备方法,所述复合晶粒长大抑制剂的化学式为(M1x,M21-x)(Cy,N1-y),工艺步骤如下:(1)配料;(2)将步骤(1)计量的各原料用去离子水或蒸馏水中配制成溶液或悬浊液,然后将所述溶液或悬浊液加热干燥或喷雾干燥,即制得前驱体粉末;(3)将步骤(2)中制得的前驱体粉末置于反应炉中烧结,在温度升至400~600℃时,向所述反应炉内通入氮气作为反应和保护气体,并在600~650℃保温10~30分钟,氮气的压力控制在0.01~0.1MPa,然后继续升温至950~1400℃保温1~2小时进行碳热还原氮化反应,保温结束后随炉冷却至室温出炉,即制得纳米多元复合晶粒长大抑制剂。 | ||
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【主权项】:
一种纳米多元复合晶粒长大抑制剂的制备方法,所述复合晶粒长大抑制剂的化学式为(M1x,M21‑x)(Cy,N1‑y),式中:M1为钒或铬,M2为固溶金属;当M1为钒时,M2为铬、钛、钼、钽、铌、锆中的至少一种,0.5<x≤0.95,0.1≤y≤0.9,结构为含有固溶金属的碳氮化钒固溶体;当M1为铬时, M2为钒、钛、钼、钽、铌、锆中的至少一种, 0.5<x≤0.95,0.1≤y≤0.9,结构为含有固溶金属的碳氮化铬固溶体;其特征在于工艺步骤如下:(1)配料根据所述复合晶粒长大抑制剂的化学式选择除氮以外的组分的原料,并根据所述复合晶粒长大抑制剂的化学式中除氮以外的组分的摩尔数计量所选择的各原料进行配料;(2)制备前驱体粉末将步骤(1)计量的各原料用去离子水或蒸馏水配制成溶液或悬浊液,然后将所述溶液或悬浊液加热干燥或喷雾干燥,即制得前驱体粉末;(3)烧结将步骤(2)中制得的前驱体粉末置于反应炉中烧结,在温度升至400~600℃时,向所述反应炉内通入氮气作为反应和保护气体,并在600~650℃保温10~30分钟,氮气的压力控制在0.01~0.1MPa,然后继续升温至950~1400℃保温1~2小时进行碳热还原氮化反应,保温结束后随炉冷却至室温出炉,即制得纳米多元复合晶粒长大抑制剂。
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