[发明专利]利用光控动态光学元件调制太赫兹波的方法

摘要

本发明涉及一种利用光控动态光学元件调制太赫兹波的方法。该方法包括：a、预置空间光调制器的初始调制图像，对输入太赫兹光进行调制，通过成像测量获得第一相对强度分布图像，得到校正曲线；b、给定预调制太赫兹光的预期波前信息，根据校正曲线确定空间光调制器的校正调制图像；c、固定空间光调制器的调制图像为校正调制图像，对输入太赫兹光进行调制，并通过成像测量获得第二相对强度分布图像。本发明实施例的方法，根据预调制太赫兹波的频率以及预期波前变化确定空间光调制器的调制图像，对泵浦光的空间分布进行调控，实现对半导体上载流子分布的调制，使半导体变成一个动态光学元件，从而实现对任意频率太赫兹光波前的灵活调制。

主权项

一种利用光控动态光学元件调制太赫兹波的方法，其特征在于，所述方法包括：a、预置空间光调制器的初始调制图像，对输入太赫兹光进行调制，通过成像测量获得预调制太赫兹光的第一相对强度分布图像，得到校正曲线；b、给定所述预调制太赫兹光的预期波前信息，根据所述校正曲线确定所述空间光调制器的校正调制图像；c、设置所述空间光调制器的调制图像为校正调制图像，对所述输入太赫兹光进行调制，并通过成像测量获得所述预调制太赫兹光的第二相对强度分布图像。其中，所述步骤a包括：a1、将所述空间光调制器的调制图像设置为初始调制图像；a2、泵浦光照射所述空间光调制器，所述空间光调制器调制所述泵浦光的空间分布；a3、将所述初始调制图像成像在所述半导体上，同时所述半导体得到所述泵浦光激励，产生光致载流子分布；a4、输入太赫兹光照射所述半导体，所述半导体调制所述输入太赫兹光的电场分布；a5、第一输出太赫兹光照射探测晶体，调制所述探测晶体的折射率椭球；a6、探测光照射所述探测晶体，探测所述探测晶体的折射率椭球，间接获取所述第一输出太赫兹光的信息；a7、利用成像设备测量所述第一输出太赫兹光中预调制太赫兹光电场的两个偏振分量E1x和E1y；a8、根据所述测得的预调制太赫兹电场的两个偏振分量E1x和E1y计算相对强度E1，得到所述预调制太赫兹光的第一相对强度分布图像，得出校正曲线；所述步骤c包括：c1、将所述空间光调制器的调制图像设置为校正调制图像；c2、所述泵浦光照射所述空间光调制器，所述空间光调制器调制所述泵浦光的空间分布；c3、将所述校正调制图像成像在所述半导体上，同时所述半导体得到所述泵浦光激励，产生光致载流子分布；c4、所述输入太赫兹光照射所述半导体，所述半导体调制所述输入太赫兹光的电场分布；c5、第二输出太赫兹光照射所述探测晶体，调制所述探测晶体的折射率椭球；c6、所述探测光照射所述探测晶体，探测所述探测晶体的折射率椭球，间接获取所述第二输出太赫兹光的信息；c7、利用成像设备测量所述第二输出太赫兹光中预调制太赫兹光电场的两个偏振分量E2x和E2y；c8、根据所述测得的预调制太赫兹电场的两个偏振分量E2x和E2y计算相对强度E2，得到所述预调制太赫兹光的第二相对强度分布图像；其中，所述偏振分量E1x和E2x为水平方向的偏振分量，并且所述偏振分量E1y和E2y为竖直方向的偏振分量。