[发明专利]一种可同时调控介质层电性与磁性的多维度存储器无效
| 申请号： | 201310297779.3 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103367637A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;任书霞;赵旭 | 申请（专利权）人： | 河北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L43/10 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人： | 董金国 |
| 地址： | 050024 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可同时调控介质层电性与磁性的多维度存储器，结构中包括底电极、顶电极以及位于底电极、顶电极之间的介质层，所述介质层为室温下具有亚铁磁性的四氧化三铁薄膜，薄膜厚度为20nm～200nm。采用商用Pt/Ti/SiO2/Si为基底，Pt为底电极，顶电极为Ag/Ti双层金属顶电极。利用施加电压的方式实现了四氧化三铁磁性和电性的同时调控，为磁性材料作为阻变存储器介质的应用提供了新的途径。该存储器的介质层Fe3O4自然界资源丰富、价格低廉、制备简单，所制备的器件在小于0.6V的电压下即可以实现电性与磁性的同时变化，提高了信息的存储维度，有利于减小能耗，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 调控 介质 层电性 磁性 多维 存储器 | ||
【主权项】：
一种可同时调控介质层电性与磁性的多维度存储器，结构中包括底电极、顶电极以及位于底电极、顶电极之间的介质层，其特征在于：所说的介质层为室温下具有亚铁磁性的四氧化三铁薄膜。
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