[发明专利]具有宽种晶层的叠层有效
| 申请号： | 201310281851.3 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103383848B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | E·W·辛格尔顿;李宰荣;K·尼古拉维;V·B·萨波日尼科夫;S·C·威克姆;S·E·麦肯雷 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有宽种晶层的叠层。一种叠层，包括种晶层结构，具有第一部分，该第一部分具有第一跨轨道宽度；以及自由层，被沉积在种晶层结构上并具有第二跨轨道宽度，其中第一跨轨道宽度大于第二跨轨道宽度。在一个实现中，种晶层结构进一步包括反铁磁(AFM)层和合成反铁磁(SAF)层。在一个可选实现中，种晶层结构的跨轨道宽度基本上等于自由层的跨轨道宽度和两个永磁体的跨轨道宽度的和。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 宽种晶层 | ||
【主权项】：
一种磁传感器叠层，包括：种晶层结构，具有第一部分，所述第一部分具有第一跨轨道宽度；以及自由层，被沉积在种晶层结构上并且具有第二跨轨道宽度，其中所述种晶层结构包括反铁磁AFM层，并且所述反铁磁AFM层和所述自由层在跨轨道方向上不重叠，其中第一跨轨道宽度大于第二跨轨道宽度。
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