[发明专利]体接触部分耗尽绝缘体上硅晶体管有效
| 申请号： | 201310254880.0 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103516342B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 乔治·努赫拉 | 申请（专利权）人： | Qorvo美国公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 朱胜,陈炜 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种体接触部分耗尽绝缘体上硅晶体管。实施例包括与可用在开关电路中的体接触部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）晶体管有关的设备、系统和方法。在一些实施例中，开关电路可包括用于为开关晶体管的体提供放电路径的放电晶体管。可描述和要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 部分 耗尽 绝缘体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种开关电路，包括：开关晶体管，具有栅极接点、源极接点、漏极接点和体接点；第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和所述第二电阻器彼此串联耦合，并且还与所述源极接点和所述漏极接点耦合且耦合在所述源极接点与所述漏极接点之间；以及放电晶体管，具有与所述开关晶体管的体接点耦合的第一接点、与所述开关晶体管的栅极接点耦合的第二接点以及与所述第一电阻器和所述第二电阻器耦合的栅极接点，其中，所述开关晶体管和所述放电晶体管被配置成基于在所述开关晶体管的栅极接点处提供的控制电压而以互补方式接通和关断。
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