[发明专利]一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器结构包括蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次生长的低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、本征AlGaN层、n型AlGaN下接触层、AlGaN/GaN多量子阱层以及n型AlGaN上接触层；n型AlGaN上接触层之上的二维金属光栅层。本发明的优点在于：利用Plasmon近场增强效应，在表面形成电场方向平行于量子阱生长方向的电子、光子耦合共振波，提高量子阱对正入射光的吸收能力，从而提升红外探测器的探测效率。同时，利用Plasmon增强耦合光栅的选频特性，实现信号的滤波，降低噪声的影响，减少暗电流，增强红外探测器的灵敏度。

主权项

一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：该探测器结构包括蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次生长的低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、本征AlGaN层、n型AlGaN下接触层、AlGaN/GaN多量子阱层以及n型AlGaN上接触层；n型AlGaN上接触层之上的二维金属光栅层。