[发明专利]存储阵列及其操作方法和制造方法

摘要

公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻变器件可以包括由第二纳米线、绕第二纳米线形成的阻变材料层以及绕阻变材料层形成的电极层构成MIM配置。该存储阵列还可以包括多条选择线，每一条选择线电连接至相应的一行选择晶体管；多条位线，每一条位线电连接至相应的一列选择晶体管的一端，各选择晶体管的另一端分别电连接至相邻的存储单元层中相应的阻变器件的第二纳米线；多条字线，每一条字线电连接至相应的存储单元层的电极层。

主权项

一种存储阵列，包括：沿第一方向成行且沿第二方向成列设置从而形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；沿第三方向堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列，每一阻变器件包括绕第二纳米线形成的阻变材料层以及绕阻变材料层形成的电极层，每一存储单元层中各阻变器件共用相同的电极层，各存储单元层中彼此对应的阻变器件共用相同的第二纳米线，各存储单元层中彼此对应的阻变器件共用相同的阻变材料层，各存储单元层的电极层之间通过隔离层彼此电隔离，所述隔离层包括在衬底上第一纳米线之间的间隙中填充的第一隔离层、在第一隔离层上交替形成多个电极层和第二隔离层，与选择晶体管的阵列相对应的、贯穿交替堆叠的所述多个电极层和第二隔离层而形成的多个孔露出相应选择晶体管的第一纳米线，所述阻变材料层在所述多个孔的侧壁上形成，所述第二纳米线在所述多个孔内形成；多条选择线，每一条选择线电连接至相应的一行选择晶体管，所述多条选择线嵌入于第一隔离层中形成并且沿第一方向延伸；多条位线，每一条位线电连接至相应的一列选择晶体管的一端，各选择晶体管的另一端分别电连接至相邻的存储单元层中相应的阻变器件的第二纳米线；多条字线，每一条字线电连接至相应的存储单元层的电极层。