[发明专利]一种利用零价纳米铁强化植物修复PCBs-Pb复合污染土壤的方法无效

专利信息
申请号: 201310233632.8 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103272837A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 高园园;周启星 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: B09C1/00 分类号: B09C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 零价纳米铁强化植物修复持久性有机污染物多氯联苯(PCBs)-铅(Pb)复合污染土壤的植物修复技术,其特点是将零价纳米铁和凤仙花Impatiens balsamina修复PCBs和Pb复合污染土壤,其中凤仙花不仅对Pb具有强耐受性,且具有一定的超积累特性。具体是在移栽之前将零价纳米铁用注射器注射进PCBs-Pb复合污染土壤,而后再种植凤仙花。就是说,将成本低廉易于合成的零价纳米铁用于植物修复PCBs-Pb复合污染土壤中,以改善土壤肥力、显著提高土壤中复合污染物的修复效果。
搜索关键词: 一种 利用 纳米 强化 植物 修复 pcbs pb 复合 污染 土壤 方法
【主权项】:
零价纳米铁强化凤仙花Impatiens balsamina修复PCBs‑Pb复合污染土壤的方法,其特征在于:将零价纳米铁注射进入污染土壤中,而后种植幼苗期的凤仙花,当其到成熟期时,将植物整体从污染土壤中移走,从而实现去除土壤中污染物的目的。
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