[发明专利]包括非易失性存储器件的存储设备及修复方法有效
申请号: | 201310217089.2 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103455384B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 李俊镐;白种南;咸东勋;柳相旭;黄仁珆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 刘虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种存储设备,其包括非易失性存储器件,其包括存储块,该存储块的编程次序与存储单元的布置无关地来调整;以及存储器控制器,其执行地址映射以便用存储块的正常页替换存储块的坏页。 | ||
搜索关键词: | 包括 非易失性存储器 存储 设备 修复 方法 | ||
【主权项】:
一种存储设备,包括:非易失性存储器件,其包括存储块,其中所述存储块中的存储单元按页来布置并且根据编程次序来编程,所述编程次序是与所述存储块中的存储单元的物理布置无关地可调整的;以及存储器控制器,其通过执行逻辑页地址映射以使所述存储块的坏页被替换为所述存储块的正常页,来控制所述存储块中的存储单元的逐页编程,其中所述存储块具有三维(3D)结构,在所述三维结构中所述存储单元以垂直于基底的方向堆叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310217089.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。