[发明专利]一种超导石墨合成片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310215024.4 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103332679A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 何千舟 | 申请（专利权）人： | 天津安品有机硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超导石墨合成片及其制备方法和应用，其主要原理是：利用半导体的横向和纵向传导特性，采用N型半导体加大石墨材料横向导热速率，从而快速将热源温度降低。本发明的超导石墨合成片的制备原料包括半导体碲化物，还包括石墨材料。所述半导体碲化物为碲化镉、碲化铅或碲化铋中的一种或其中两种或三种的混合物。本发明的超导石墨合成片的导热系数为：750-1650w/m·k，能快速将电子产品的温度降低到40℃左右。本发明的超导石墨合成片可应用于任何手提、便携、车载电子设备及高功率发热电子设备，能够使电子设备温度迅速降低，加快其运行速度，并且能优化电子设备的功能，使其安装大型程序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 石墨 成片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种超导石墨合成片，其特征在于：其制备原料包括半导体碲化物，优选N型，优选纳米级，还包括石墨材料，优选纳米级。
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