[发明专利]用于I/O接口的降压转换电路有效

专利信息
申请号: 201310178635.6 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104158534B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 杭金华;王俊;郭之光;马莹;程惠娟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于I/O接口的降压转换电路,包括一串联高压PMOS管和高压NMOS管的高压反相器,高压NMOS管与高压PMOS管的栅极相连由一输入信号控制,高压PMOS管的源极与高压电源相连,高压NMOS管的源极与电源地相连;钳位电路,钳位电路的供电端、输入端和输出端分别与低压电源、第一输出端、第二输出端相连;和一串联低压PMOS管和低压NMOS管的低压反相器,低压PMOS管的栅极、源极、漏极分别与第二输出端、低压电源、第三输出端相连,低压NMOS管的栅极、源极、漏极分别与第二输出端、电源地、第三输出端相连,电源地低于低压电源,低压电源低于高压电源,输入信号在电源地和高压电源之间的电压摆动,以将I/O接口接收到的高压电源降低转换成实际电路所需的低压电源。
搜索关键词: 用于 接口 降压 转换 电路
【主权项】:
一种用于I/O接口的降压转换电路,包括:高压反相器,所述高压反相器包括高压PMOS管和高压NMOS管,所述高压PMOS管的源极和漏极分别与高压电源和第一输出端相连,所述高压PMOS管的栅极由一输入信号控制,所述高压NMOS管的源极和漏极分别与电源地和所述第一输出端相连,所述高压NMOS管的栅极与所述高压PMOS管的栅极相连;钳位电路,所述钳位电路的供电端与低压电源相连,所述钳位电路的输入端与所述第一输出端相连,所述钳位电路的输出端与第二输出端相连;和低压反相器,所述低压反相器包括低压PMOS管和低压NMOS管,所述低压PMOS管的源极和漏极分别与所述低压电源和第三输出端相连,所述低压PMOS管的栅极与所述第二输出端相连,所述低压NMOS管的源极和漏极分别与所述电源地和所述第三输出端相连,所述低压NMOS管的栅极与所述低压PMOS管的栅极相连,其中,所述电源地低于所述低压电源,所述低压电源低于所述高压电源,所述输入信号在所述电源地和所述高压电源之间的电压摆动。
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