[发明专利]三维有序贵金属纳米管阵列电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维有序贵金属纳米管阵列电极，包括贵金属纳米管阵列和平面基底电极，其中所述贵金属纳米管阵列直接生长固定在所述平面基底电极的表面上。其制备方法包括将多孔膜固定在电极表面；通过电化学沉积在电极表面直接向多孔膜的孔道内生长纳米短棒阵列；向多孔膜的孔道内继续化学沉积或电化学沉积合金纳米管；对合金纳米管阵列电极去合金化，得到具有管壁带孔的贵金属纳米管阵列电极；在除膜液中去除多孔膜模板，得到与电极整合一体的三维有序贵金属纳米管阵列电极。本发明的纳米管阵列直接生长在基底电极上，并且由于孔壁纳米管具有特殊结构，此阵列电极应用于电化学传感器及生物传感器研究，将会得到稳定、可信的响应信号。

主权项

一种制备三维有序贵金属纳米管阵列电极的方法，其中，所述三维有序贵金属纳米管阵列电极，包括贵金属纳米管阵列和平面基底电极，其特征在于所述贵金属纳米管阵列直接生长固定在所述平面基底电极的表面上，其中，所述的贵金属纳米管的管壁带有孔径分布为5～600nm的不规则孔，所述方法具体包括：步骤A)将多孔膜模板固定在平面基底电极表面；步骤B)通过电化学沉积在平面基底电极表面直接向多孔膜模板的孔道内生长一定长度的贵金属纳米短棒阵列，得到纳米短棒阵列电极；步骤C)向纳米短棒阵列电极上的多孔膜模板的孔道内继续化学沉积或电化学沉积合金纳米管，得到合金纳米管阵列电极；在化学沉积之前，先对纳米短棒阵列电极上的多孔膜模板的孔壁，用敏化剂进行敏化处理，再用能被敏化剂还原的金属离子氧化剂处理生成金属催化剂；或者，在电化学沉积之前，先对纳米短棒阵列电极上的多孔膜模板的孔壁用对金属具有亲和性的试剂进行修饰处理；步骤D)在酸溶液中对合金纳米管阵列电极去合金化，得到纳米管壁上具有不规则孔的贵金属纳米管阵列电极；步骤E)在除膜液中去除多孔膜模板，得到与平面基底电极整合一体的三维有序贵金属纳米管阵列电极。